一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015／cm3，室温下测得其EF恰好与施主能级重合，并得知平衡电子

知平衡电子密度为n0=5×1015／cm3。已知室温下硅的本征载流子密度ni=1．5×1010／cm3，试求： (1)平衡少子密度是多少？ (2)掺入材料中的施主杂质密度是多少？ (3)电离杂质和中性杂质的密度各是多少？

A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级（

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度

B.少数载流子由本征激发形成

C.多子浓度远大于少子浓度

D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定

A.空穴

B.电子

C.受主

D.p型

A.施主杂质

B.受主杂质

C.两性杂质

D.等电子杂质

A.空穴

B.电子

C.受主

D.p型