在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。（)

A.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，而△Ev则对n区空穴向p区运动没有明显的影响

B.△Ec对n区电子向p区的运动起势垒作用，而△Ev则对p区空穴向n区运动没有明显的影响

C.△Ec对p区电子向n区的运动没有明显的影响，而△Ev对n区空穴向p区运动起势垒作用

D.△Ec对p区电子向n区的运动起势垒作用，△Ev对n区空穴向p区运动也起势垒作用

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

A.电子

B.空穴

C.质子

D.光子

A.只从P区流向N区

B.只从N区流向P区

C.等于零

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

A.中性区

B.欧姆电极

C.耗尽区

D.扩散区

A.P型半导体和N型半导体材料本身带电

B.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电

C.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电

D.P型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电