三种晶格缺陷是（）、（）和（）。

半导体中的空穴是:①半导体晶格中的缺陷;②电子脱离共价键后留下的空位;③带正电的离子。上述三种说法哪种是正确的？

金属有晶体正方晶格、六方晶格和立方晶格三种晶格形式。（)

1、在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。 2、入射离子的能量大于 时，可发生级联碰撞。 3、离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤，损伤有三种： 、 、 ，前两种为简单晶格损伤 4、离子注入晶格出现非晶层的剂量称为： 。 5、（判断）离子注入硅片后，注入区的电阻率基本不变。 6、（判断）实际掺杂常将离子注入和热扩散相结合使用。 7、（判断）离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 8、（判断）形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？ 9、离子注入后退火的目的主要有 ； 。 10、实际上，热退火温度比热扩散时的温度要低得多。在退火温度下，对于完美晶体中的杂质来说，扩散系数是很小的，甚至可以忽略。但是，对于注入区的杂质，即使在比较低的温度下，杂质扩散效果也是非常显著的。这是因为离子注入的晶格损伤造成硅内 的缘故，使扩散系数 ，扩散效应 。 11、离子注入时

金属晶体结构有三种即体心立方晶格、面心立方晶格和密排六方晶格。（)

常见的三种金属晶格类型有体心立方晶格、面心立方晶格和密排六方晶格。（)

金属中常见的三种晶格类型是：()、()和()。

晶格缺陷按其在晶体结构中分布的几何特点可分为点缺陷,线缺陷,面缺陷和体缺陷（)

常见的金属晶格类型有 晶格、 晶格和 晶格三种类型。

常见的金属晶格类型有 晶格、 晶格和 晶格三种类型。

纯金属的晶格类型主要有体心立方晶格， 面心晶格和晶格三种