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由于电子和空穴的扩散，在界面处变回形成 P-N 结，并在结的两边形成__ （内建电场（））

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势垒电场

更多“由于电子和空穴的扩散，在界面处变回形成 P-N 结，并在结的两边形成__ （内建电场（））”相关的问题

第1题

下列说法正确的有（）

A.P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子

B.在P和N半导体的分界面处，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区。

C.P－N结内电场的方向是N负P正。

D.光生电势与内电场方向相反。

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第2题

光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流

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第3题

光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。

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第4题

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第5题

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