离子注入、退火、快速热退火的英文分别是()。

热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高

（)就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

1、在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是 。 2、入射离子的能量大于 时，可发生级联碰撞。 3、离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤，损伤有三种： 、 、 ，前两种为简单晶格损伤 4、离子注入晶格出现非晶层的剂量称为： 。 5、（判断）离子注入硅片后，注入区的电阻率基本不变。 6、（判断）实际掺杂常将离子注入和热扩散相结合使用。 7、（判断）离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。 8、（判断）形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？ 9、离子注入后退火的目的主要有 ； 。 10、实际上，热退火温度比热扩散时的温度要低得多。在退火温度下，对于完美晶体中的杂质来说，扩散系数是很小的，甚至可以忽略。但是，对于注入区的杂质，即使在比较低的温度下，杂质扩散效果也是非常显著的。这是因为离子注入的晶格损伤造成硅内 的缘故，使扩散系数 ，扩散效应 。 11、离子注入时

离子注入之后为什么要进行退火？退火的方法有哪些

离子注入之后为什么要进行退火？退火的方法有哪些？

离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。