下列属于DR成像间接转换方式的部件是（）

属于DR成像间接转换方式的部件是

A．增感屏

B．非晶硒平板探测器

C．碘化铯+非晶硅探测器

D．半导体狭缝线阵探测器

E．多丝正比电离室

A.增感屏

B.非晶硒平板探测器

C.多丝正比电离室

D.碘化铯+非晶硅探测器

E.半导体狭缝线阵列探测器

A.增感屏 Intensifying screen

B.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

C.多丝正比电离室 Multi wire proportional ionization chamber(MWPC)

D.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

A.增感屏 Intensifying screen

B.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

C.多丝正比电离室 Multi wire proportional ionization chamber(MWPC)

D.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

A. 影像板

B. 增感屏

C. 非晶硒平板探测器

D. 碘化铯+非晶硅探测器

E. 闪烁体+CCD摄像机阵列

属于DR成像直接转换方式的部件是

A．闪烁体+CCD摄像机阵列

B．非晶硒平板探测器

C．碘化铯+非晶硅探测器

D．半导体狭缝线阵探测器

E．多丝正比电离室

A.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

B.胶片 Film

C.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

D.增感屏 Intensifying screen

A.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

B.胶片 Film

C.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

D.增感屏 Intensifying screen

A.碘化色+非晶硅探测器 a-Si FPD

B.胶片 Film

C.非晶硒平板探测器 a-Se FPD

D.增感屏 Intensifying screen

A.成像板方式

B.平板探测器方式

C.直接转换方式

D.间接转换方式

E.CCD方式

A.DR成像时间短于CR

B.CR是X线间接转换技术，DR是X线直接或简单间接转换技术

C.DR图像信噪比优于CR

D.CR曝光剂量小于DR

E.DR系统兼容性低于CR