半导体二极管正向导通时的压降，硅管约为（）

约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V 。 2 、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。 3 、二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。 4 、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。 5 、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为 电子技术。 6 、PN结反向偏置时,PN结的内电场 。PN具有 特性。 7 、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为 伏;其门坎电压V th 约为 伏。 8 、二极管正向偏置时,其正向导通电流由 载流子的 运动形成。 9 、P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 、本征半导体的载流子为 。 10 、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类

A.0.5V###SXB###B.0.2~0.3V###SXB###C.0.6~0.7V###SXB###D.

A.0.5V#B.0.2~0.3V#C.0.6~0.7V#D.

A.0.5V###SXB###B.0.2~0.3V###SXB###C.0.6~0.7V###SXB###D.

A.0.5V###SXB###B.0.2~0.3V###SXB###C.0.6~0.7V###SXB###D.

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和