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第1题
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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第3题
在PMOS器件中,如果将栅极从铝换成P+多晶硅,那么晶体管的阈值电压变化(DVt)等于
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第4题
场效应晶体管只依靠电子或空穴一种载流子的运动而工作,因此又称场效应晶体管为单极性晶体管。
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第5题
什么是场效应晶体管的短沟道效应?简要说明其对晶体管特性的影响。
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第6题
共栅极场效应管放大器的基本特点与共基极晶体管放大器类似。
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第7题
共栅极场效应管放大器的基本特点与共基极晶体管放大器相同。
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第8题
晶体管是()控制电流器件,场效应管是()控制电流器件
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第9题
因为运放的两个输入端都激励晶体管,源极或栅极必须始终有电流流过,以保持晶体管导通,这就是偏置电流。
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